硅光芯片制造技術走向成熟,硅光晶圓測試測量全新解決方案,產業發展迎來新契機發表時間:2025-08-20 17:36來源:官網/網絡信息 硅光芯片制造技術走向成熟,硅光晶圓測試測量全新解決方案,產業發展迎來新契機
在 AI 技術飛速發展的當下,AI 服務器對數據傳輸速率的要求急劇攀升,而融合了硅芯片工藝流程與光電子高速率、高能效優勢的硅光芯片,成為解決這一需求的關鍵所在。2025 年,從政策規劃到技術突破,再到產業化推進,多項進展清晰地顯示出硅光芯片的制造工藝正逐步走向成熟。 政策層面為硅光芯片產業發展注入了強大動力。國內多個省份紛紛出臺相關政策支持硅光芯片產業創新發展。湖南省人民政府在《加快“世界光谷” 建設行動計劃》中明確提出,到 2025 年完成 12 英寸基礎硅光流片工藝開發,形成國際領先的硅光晶圓代工和生產制造能力。《廣東省加快推動光芯片產業創新發展行動方案 (2024—2030 年)》也著重強調,支持光芯片相關部件和工藝的研發及優化,其中就包括硅光集成、異質集成等光芯片相關制造工藝的研發和持續優化,為產業發展指明了方向。 一、硅光芯片的技術創新 技術突破是硅光芯片制造工藝走向成熟的核心標志。在技術創新方面,復旦大學信息科學與工程學院張俊文研究員、遲楠教授與相關研究團隊開展合作,提出基于多維光子復用的創新范式,成功實現了在時域、空域、頻域的多維并行信號傳輸。基于此,團隊設計并研制出一款硅光集成高階模式復用器芯片,該芯片實現了每秒 38Tb 的數據傳輸速度,這意味著其可在 1 秒內完成大模型 4.75 萬億參數傳遞,極大地提升了數據傳輸效率。 國際企業在硅光芯片技術上的探索也成果顯著。英偉達在 2024 年 12 月的 IEDM 2024 上展示了與臺積電合作開發的硅光子原型。據臺積電介紹,該原型采用的 COUPE 技術使用 SoIC-X 芯片堆疊技術,將電子裸片堆疊在光子裸片上,從而在 die-to-die(裸片與裸片)接口提供更低電阻和更高能效,為硅光芯片性能提升開辟了新路徑。 同時,硅光芯片制造中的關鍵難題—— 對準瓶頸也得到了有效突破。傳統單通道對準效率低下,而新型快速多通道光子對準系統(FMPA)通過固件驅動的并行對準技術,實現 6 自由度同步優化,將對準時間從數十秒大幅縮短至 250-400 毫秒,且精度達到納米級,這一突破成功解決了硅光子晶圓級測試與封裝的規模化難題。目前,該技術已集成至 Cascade Microtech 等廠商的探針臺,有力推動了硅光子從實驗室走向量產。 二、硅光測試技術和設備 在硅光芯片制造技術逐步成熟的進程中,測試技術與設備發揮著舉足輕重的作用,它們是保障芯片性能與質量、推動產業從實驗室走向大規模商用的關鍵支撐。 1,國內進展 從國內來看,諸多企業和機構在硅光芯片測試領域取得了顯著進展。
2,國際進展 在國際舞臺上,眾多企業和研究機構在硅光芯片測試技術與設備領域各展所長,推動著行業的進步。
總體而言,硅光芯片測試技術與設備正朝著高精度、高速度、自動化以及標準化的方向發展 。隨著技術的不斷創新,從高精度測試儀器到自動化測試平臺,從針對特定芯片的性能測試到涵蓋全流程的工藝解決方案,這些測試手段將在保障硅光芯片性能、加速產品迭代以及推動產業規模化發展等方面持續發揮關鍵作用 。不過,當前測試領域仍面臨著測試成本較高、部分測試標準不統一等挑戰,需要產業界和科研機構進一步探索解決方案,以推動硅光芯片產業更高效、健康地發展 。 三、硅光應用產業化 在產業化方面,國內企業同樣取得了令人矚目的進展。中國信科發起成立的國家信息光電子創新中心聯合開發的 12 英寸硅光工藝線預計今年底正式建成,該工藝可支持 40 納米小尺寸硅光波導結構的生產制造,這將大幅降低開發驗證周期,保障大規模芯片交付,實現國產芯片從設計到生產的完全國產化。群發光芯也在 4 月 27 日召開了 OPA 中試線投產及產品發布會,其 OPA 中試線以低損耗厚膜氮化硅制造工藝為核心,能夠助力多種類型硅光器件加工。建成的六英寸硅光生產線具備光刻、刻蝕、成膜等全工藝流程能力,形成了具有自主知識產權的高端硅光芯片工藝解決方案。 總之,硅光芯片制造技術在政策支持、工藝開發、傳輸速率、芯片堆疊、測試技術及產業化等多方面均取得了顯著進展,正逐步走向成熟。不過,該領域仍面臨一些挑戰,如進一步降低成本、提高良品率等。隨著技術的持續創新和產業的不斷完善,硅光芯片有望在數據中心、人工智能、智能駕駛等領域得到更廣泛應用,為相關產業的發展注入強勁動力。 內容版權歸原作者所有,此處僅作分享學習使用,如有侵權,請聯系本站刪除 |